晶閘管為什么兩端要對接電阻電容

一、晶閘管（可控硅）兩端為什么并聯電阻和電容在實際晶閘管（可控硅）電路中，常在其兩端并聯RC串聯網絡，該網絡常稱為RC阻容吸收電路。 我們知道，晶閘管（可控硅）有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管（可控硅）在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管（可控硅）從斷態轉入通態的 電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管（可控硅）的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管（可控硅）的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管（可控硅）可以看作是由三個PN結組成。 在晶閘管（可控硅）處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管（可控硅）陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管（可控硅）在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管（可控硅）誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管（可控硅）上的陽極電壓上升率應有一定的限制。 為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管（可控硅）安全運行，常在晶閘管（可控硅）兩端并聯RC阻容吸收網絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的（變壓器漏感或負載電感），所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管（可控硅）。同時，避免電容器通過晶閘管（可控硅）放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管（可控硅）。 由于晶閘管（可控硅）過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。

電阻或電容值的選配標準：

在電路設計中，我們經常會面對電阻或電容量值如何選擇的問題。根據電路計算出來的電阻或電容值，往往需要從標準量值中就近選擇。 在這里，anxingedu把電阻電容的國際標準較為詳細地整理貼出，希望能夠起到一定的作用。了解了這個標準，我們就可以輕松地如需選擇自己電路中需要的元件，不用再過多考慮采購的問題。 E系列由國際電工委員會（IEC）于1952年發布為國際標準， 初是由英國一家公司制定實行，但該系列只適用于無線電電子元件方面。如：E6系列適用于允差±20%的電阻和電容器數值；E12系列適用于允差±10%的電阻和電容器數值；E24系列適用于允差±5%的電阻和電容器數值。E96系列適用于允差±1%的電阻和電容器數值。 我國無線電行業標準SJ618《電阻器標準阻值系列》以及SJ616《固定式電容器標準容量系列》，都分別采用E6、E12和E24系列。它們分別是以6√10、12√10、24√10為公比的幾何級數。 如E6系列的公比為6√10≈1.5，系列的 個量取1.0，接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10，分別為：1.5、2.2、3.3、4.7、6.8、10、15等等，也是公比的N次方。這些就像我們國家的人民幣一樣，由1、2、5的等級面額，如果各家銀行都允許印刷人民幣，那么就要按照這樣形成的標準印刷相應的面值此外，在我國的無線電行業標準SJ619《精密電阻器標準稱阻值系列、精密電容器標準容量系列及其允許偏差系列》中還規定采用E48、E96和E192三個系列，它們則分別是以48√10、96√10、192√10為公比的幾何級數。 公比算法備注： 如E6系列的公比為6√10≈1.5，系列的 個量取1.0，接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10，分別為：1.5、2.2、3.3、4.7、6.8、10、15等等，也是公比的N次方。這些就像我們國家的人民幣一樣，由1、2、5的等級面額，如果各家銀行都允許印刷人民幣，那么就要按照這樣形成的標準印刷相應的面值（當然只有央行有這個權利），花錢的人也就可以根據這個標準來選配自己想要錢數的組合。